在過去的數(shù)十年里，半導(dǎo)體的光電化學(xué)刻蝕效應(yīng)一直被認(rèn)為是光生載流子在半導(dǎo)體與電解質(zhì)溶液接觸表面形成的內(nèi)建電場作用下遷移到樣品表面參與并催化電化學(xué)刻蝕導(dǎo)致的結(jié)果。本研究報道了一種反常的物理現(xiàn)象，即在光電化學(xué)刻蝕過程中，具有橫向(平行于半導(dǎo)體表面)梯度的空間光場照明能夠誘導(dǎo)無摻雜半導(dǎo)體表面的光生載流子產(chǎn)生橫向遷移，載流子濃度的重新分布導(dǎo)致在無摻雜半導(dǎo)體中產(chǎn)生了與常規(guī)光電化學(xué)刻蝕相反的刻蝕結(jié)果。實驗結(jié)果表明光照強度與梯度、載流子擴散長度等因素與該過程密切相關(guān)。
 

　　該研究提供了一種通過光場調(diào)控實現(xiàn)在半導(dǎo)體表面進行大面積3D微納米結(jié)構(gòu)制造的新方法。該方法具有低成本、快速加工的特點，有望在微電子器件、光學(xué)元件、微機電系統(tǒng)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域取得廣泛應(yīng)用。
 

　　本研究由國家自然科學(xué)基金、國家重點研發(fā)計劃、深圳市基礎(chǔ)研究項目、中國國家杰出青年科學(xué)基金、粵港科技合作資助計劃C類平臺和光谷實驗室創(chuàng)新項目等項目資助。