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這一顯著增長(zhǎng)主要得益于AI與高效能運(yùn)算(HPC)芯片需求的強(qiáng)勁拉動(dòng)，進(jìn)而推動(dòng)了先進(jìn)制程(如3納米與4納米)及先進(jìn)封裝技術(shù)的廣泛應(yīng)用。
如今傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶圓廠(晶圓廠1.0)，其主要專注于芯片制造，已不足以凸顯行業(yè)動(dòng)態(tài)，因此Counterpoint Research在晶圓廠2.0的定義中包括了純晶圓廠、非存儲(chǔ)IDM、OSAT和光掩模制造商。
其中臺(tái)積電憑借其先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝能力，市占率在第一季度提升至35%，不僅穩(wěn)固了其在市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，還大幅領(lǐng)先于整體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)幅度。
封裝與測(cè)試(OSAT)產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)相對(duì)溫和，營(yíng)收年增約7%，其中日月光、矽品與Amkor因承接臺(tái)積電AI芯片訂單的先進(jìn)封裝外溢需求，受益較為明顯。
而非存儲(chǔ)器IDM廠商如NXP、Infineon與Renesas，卻因車用與工業(yè)應(yīng)用需求疲弱，營(yíng)收年減 3%，拖累了整體市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)能。
Counterpoint Research研究副總監(jiān)Brady Wang指出，臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)大其先進(jìn)制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，市占上升至35%，營(yíng)收年增超過三成，領(lǐng)跑市場(chǎng)。英特爾憑借18A / Foveros技術(shù)取得部分進(jìn)展，但三星在3納米GAA開發(fā)上仍受限于良率挑戰(zhàn)。
原標(biāo)題：全球晶圓代工2.0首季營(yíng)收大增13%！臺(tái)積電獨(dú)攬35%穩(wěn)坐頭把交椅
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